三星电子在GTC 2026上正式宣布，计划在HBM5内存中导入自研2nm制程用于基础裸片，同时HBM5E将升级DRAM至1d nm工艺，以进一步强化逻辑性能满足下一代AI工作负载需求。
为应对成本重压，三星电子DX部门正计划将微波炉等入门级家电产线外包，集中力量于高端Bespoke系列及大型白电自产。