进一步增强逻辑性能：三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

三星GTC 2026官宣：HBM5基础裸片跨代升级至2nm

三星电子存储器开发副总裁黄相俊在GTC 2026现场披露了下一代HBM内存的详细技术路线图。HBM5的基础裸片将从HBM4/HBM4E所使用的4nm制程直接跃升至2nm，这一跨代升级旨在通过更先进的逻辑工艺提升基础裸片的数据读写控制与纠错能力，从而满足AI加速器对存储带宽和能效的极高要求。虽然引入2nm制程会导致成本上升，但三星强调这是实现HBM目标性能的必然选择。

HBM4量产目标出炉：今年出货占比过半，产能翻三倍

在HBM5规划的同时，三星将2026年视为HBM4的爆发之年。黄相俊表示，三星计划让HBM4在今年全部HBM出货中的占比超过50%，同时整体HBM产量较去年提升逾三倍。这一激进的产能扩张目标旨在匹配AI芯片市场对高频宽存储的持续激增需求，若顺利实现，将显著改变全球高端DRAM的供应格局。三星明确将HBM4视为其整体HBM业务的重中之重，目标是占据超过一半的市场份额。

HBM5E再升级：DRAM制程推进至1d nm

除基础裸片外，三星对HBM5E的DRAM堆叠也制定了更前瞻的规划。HBM5E将采用1d nm DRAM作为核心存储单元，相较于HBM4及HBM4E使用的1c nm DRAM实现又一次制程升级。目前1d nm DRAM仍处于三星内部研发阶段，但知情人士透露其已取得较好的性能表现与测试良率，显示出明确的量产推进信号。这一升级意味着HBM5E将在存储密度和能效上进一步突破，为未来AI工作负载提供更强支撑。

定制化HBM4E加速：2nm工艺成为差异化利器

三星不仅在标准化产品上发力，还在定制化HBM4E领域加速布局。据行业媒体报道，三星计划于2026年5月至6月间完成定制HBM4E的设计工作，其基础裸片同样采用2nm制程。为应对客户日益增长的定制化需求，三星已设立专门团队并增聘250名工程师，目标客户涵盖谷歌、Meta和英伟达等科技巨头。相比之下，竞争对手SK海力士和美光则选择深度依赖台积电的先进制程（如3nm/12nm）进行合作，三星通过自研2nm工艺试图在定制化竞争中建立技术护城河。

从存储到代工：三星AI全栈生态的加速布局

除HBM内存外，三星正通过代工Groq 3推理芯片扩展其在AI加速器产业链中的角色。Groq 3正在三星平泽园区生产，量产目标定于今年第三季度底至第四季度初，订单量已超出预期。该芯片裸片面积超过700平方毫米，约70%至80%由SRAM构成，可在片上完成快速推理运算而无需依赖外部HBM。市场分析认为，三星代工Groq 3标志着其从单纯存储供应商向全栈式AI解决方案提供者转型，与英伟达等巨头的合作深度进一步扩展，有望在AI芯片市场获得更强话语权。