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进一步增强逻辑性能：三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

三星电子在GTC 2026上正式宣布，计划在HBM5内存中导入自研2nm制程用于基础裸片，同时HBM5E将升级DRAM至1d nm工艺，以进一步强化逻辑性能满足下一代AI工作负载需求。